Основной принцип лазерной очистки основан на том факте, что, когда высокоэнергетический лазерный луч попадает на металлическую поверхность, слой ржавчины или загрязнения поглощают определенную длину волны лазера гораздо легче, чем находящаяся под ним металлическая подложка. Когда импульсный лазер взаимодействует с поверхностью, слой ржавчины быстро поглощает энергию и нагревается, вызывая тепловое расширение, испарение или плазменные ударные волны, которые заставляют его отделяться от подложки и удаляться. Этот процесс требует точного контроля плотности лазерной энергии, чтобы поддерживать ее ниже порога повреждения подложки; в противном случае металлическая поверхность может быть повреждена.
По конструкции оборудования установка лазерной очистки в основном состоит из лазерного источника, системы оптической передачи, сканирующего гальванометра, системы управления и вспомогательного блока охлаждения. Лазерный источник является основным компонентом, определяющим выходную длину волны, ширину импульса и пиковую мощность; сканирующий гальванометр контролирует путь и скорость луча по поверхности детали; а система управления регулирует частоту импульсов, выходную энергию и схемы сканирования в зависимости от степени ржавчины и различных характеристик подложки. Такие параметры, как давление струи и расход воды, иногда упоминаемые в характеристиках оборудования, не являются прямыми рабочими параметрами самого процесса лазерной очистки, а скорее относятся к вспомогательным системам продувки воздухом или водяным охлаждением, используемым для удаления отдельного мусора или охлаждения оптических компонентов, что указывает на то, что оборудование, вероятно, включает в себя вспомогательные функции очистки.
